半導体装置及びその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994063230
Publication number (International publication number)：1995273338
Application date： Mar. 31, 1994
Publication date： Oct. 20, 1995
Summary：

【要約】【目的】コンタクト不良やTFT特性の劣化を防止できるようにする。【構成】半導体膜の結晶化を助長する元素の選択導入領域101とTFTの形成領域104とが重ならない配置とする。あるいは、選択導入領域101とTFTの形成領域104とが重ならず、かつ、TFTの形成領域104が成長端部103の内側に配置された構成とする。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板の上に、又は、基板の表面上に形成した絶縁膜の上に、少なくとも一部が多結晶領域となった半導体膜が形成され、該多結晶領域が、該多結晶領域よりも狭く、かつ、非晶質半導体膜の結晶化を助長する元素が選択的に導入された選択導入領域を成長させることにより得られ、該多結晶領域を用いて薄膜トランジスタが形成されている半導体装置であって、該選択導入領域と該薄膜トランジスタの形成領域とが重ならない配置構成となっている半導体装置。

IPC (5)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/136 500 , H01L 21/20 , H01L 27/12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-235461 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

Return to Previous Page