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J-GLOBAL ID：200903012210239140

半導体ナノ粒子蛍光試薬及び蛍光測定方法

Inventor： 佐藤 恵一 ,  桑畑 進
Applicant, Patent owner： 日立ソフトウエアエンジニアリング株式会社
Agent (1)： 平木 祐輔 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002088987
Publication number (International publication number)：2003287498
Application date： Mar. 27, 2002
Publication date： Oct. 10, 2003
Summary：

【要約】【課題】 半導体ナノ粒子の製造に関して、バンドギャップ蛍光を特異的に持つ半導体ナノ粒子を調製するためには、多くの過程が必要であり、技術および安全性の観点から、工業的に製造することは非常に困難であった。【解決手段】 半導体ナノ粒子内部のエネルギーレベルの禁制帯内に存在するエネルギーレベルを持つ主に表面サイトの欠陥準位から現れる欠陥蛍光を測定する。

Claim (excerpt)：

半導体ナノ粒子の主に表面サイトに欠陥準位が存在することにより現れる欠陥蛍光を測定することを特徴とする蛍光試薬。

IPC (6)：

G01N 21/64 ,  C01G 9/08 ,  C01G 11/02 ,  G01N 33/53 ,  G01N 33/533 ,  G01N 33/566

FI (8)：

G01N 21/64 Z ,  G01N 21/64 F ,  C01G 9/08 ,  C01G 11/02 ,  G01N 33/53 D ,  G01N 33/53 M ,  G01N 33/533 ,  G01N 33/566

F-Term (17)：

2G043AA01 ,  2G043BA16 ,  2G043DA01 ,  2G043DA02 ,  2G043EA01 ,  2G043FA06 ,  2G043GA25 ,  2G043GB02 ,  2G043GB16 ,  2G043GB28 ,  2G043KA02 ,  2G043KA03 ,  2G043KA05 ,  4G047BA01 ,  4G047BB05 ,  4G047BC02 ,  4G047BD04