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J-GLOBAL ID：200903012212654349

半導体装置

Inventor： 酒井 啓之 ,  太田 順道 ,  石川 修 ,  伊藤 順治 ,  柳原 学 ,  宇野 智昭 ,  井上 薫
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994067127
Publication number (International publication number)：1995074285
Application date： Apr. 05, 1994
Publication date： Mar. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】 低コスト・高性能で、かつ応用範囲の広い準ミリ波〜ミリ波半導体集積回路装置を実現する。【構成】 基板1上に接地導体10、層間絶縁膜11、配線導体12〜14、配線導体14と接地導体2を接続するコンタクトホール15が形成されている。これらで受動素子や伝送線路を含んだ配線基板が実現されている。高周波トランジスタが形成された半導体チップ2は、このチップ上の信号配線20と、バンプ40を介して配線基板上のマイクロストリップ配線とフリップチップ接続されている。これにより、半導体プロセスを用いて容易に精度の高いマイクロストリップ配線が低コストで実現できる。

Claim (excerpt)：

主面上に形成された接地導体と、前記接地導体上に形成された誘電体膜と、前記誘電体膜上に形成された金属配線とを含むマイクロストリップ配線を有するマイクロストリップ配線基板と、前記基板上にバンプを介して接続された半導体チップとを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 23/12 301 ,  H01L 21/60 311 ,  H01P 3/08 ,  H03F 3/60

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 信号伝送線路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-210168   Applicant：三菱電機株式会社
• 特開平4-273196