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J-GLOBAL ID：200903012258307910

不揮発性半導体記憶装置

Inventor： 福田 永
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993184102
Publication number (International publication number)：1995045724
Application date： Jul. 26, 1993
Publication date： Feb. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】 書き込み及び消去の動作特性による絶縁膜の劣化を抑制し、信頼性の高い不揮発性半導体装置を提供する。【構成】 この発明の不揮発性半導体装置の構成によれば、絶縁膜17は、二酸化シリコンとポリシリコンとの組成からなる半絶縁性ポリシリコン層14a(SIPOS層)を含んでいる。また、絶縁膜17を、p導電型半導体基板10上に下層絶縁膜12aと中間絶縁膜14aと上層絶縁膜16aとの3層積層構造とし、この中間絶縁膜14aをSIPOS層とする。更に、上層及び下層絶縁膜を、二酸化シリコン(SiO2 )層とする。

Claim (excerpt)：

下地上に絶縁膜と、該絶縁膜上にゲート電極とを具えた不揮発性半導体記憶装置において、前記絶縁膜は、二酸化シリコン(SiO2 )とポリシリコンとの組成によってなる半絶縁性ポリシリコン層を含むことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (3)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792