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J-GLOBAL ID：200903012267004882

膜形成用組成物、膜の形成方法および低密度膜

Inventor： 秋池 利之 ,  後藤 幸平 ,  山田 欣司
Applicant, Patent owner： ジェイエスアール株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999174345
Publication number (International publication number)：2001002990
Application date： Jun. 21, 1999
Publication date： Jan. 09, 2001
Summary：

【要約】【目的】 誘電率特性、機械強度等に優れた膜形成用組成物を得る。【構成】 (A)シラン化合物が下記一般式(1)で表される化合物R1aSi(OR2)4-a ・・・・・(1)(R1は水素原子、フッ素原子または1価の有機基を示し、R2は1価の有機基を示し、aは0〜2の整数を表す。)および下記一般式(2) で表される化合物 R3b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6c ・・・・・(2)(R3、R4、R5およびR6は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基を示し、bおよびcは、同一でも異なっていてもよく、0〜2の数を示し、R7は酸素原子または-(CH2)n-で表される基を示し、nは1〜6を、dは0または1を示す。)からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物の加水分解物および縮合物もしくはいずれか一方、(B)潜在性塩基触媒ならびに(C)前記(A)成分に相溶または分散し、沸点または分解温度が250〜450°Cである化合物を含むことを特徴とする膜形成用組成物。

Claim (excerpt)：

(A)シラン化合物が下記一般式(1)で表される化合物R1aSi(OR2)4-a ・・・・・(1)(R1は水素原子、フッ素原子または1価の有機基を示し、R2は1価の有機基を示し、aは0〜2の整数を表す。)および下記一般式(2) で表される化合物 R3b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6c ・・・・・(2)(R3、R4、R5およびR6は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基を示し、bおよびcは、同一でも異なっていてもよく、0〜2の数を示し、R7は酸素原子または-(CH2)n-で表される基を示し、nは1〜6を、dは0または1を示す。)からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物の加水分解物および縮合物もしくはいずれか一方、(B)潜在性塩基触媒ならびに(C)前記(A)成分に相溶または分散し、沸点または分解温度が250〜450°Cである化合物を含むことを特徴とする膜形成用組成物。

IPC (7)：

C09D183/04 ,  C09D133/00 ,  C09D167/00 ,  C09D169/00 ,  C09D171/02 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316

FI (7)：

C09D183/04 ,  C09D133/00 ,  C09D167/00 ,  C09D169/00 ,  C09D171/02 ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/316 H

F-Term (26)：

4J038CG142 ,  4J038DD002 ,  4J038DE002 ,  4J038DF022 ,  4J038DL021 ,  4J038DL031 ,  4J038JC32 ,  4J038KA04 ,  4J038KA06 ,  4J038NA26 ,  4J038PA19 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AC06 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH01 ,  5F058AH02 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC04 ,  5F058BC05 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ02