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J-GLOBAL ID：200903012281266270

量子箱の製造方法,半導体レーザ装置の製造方法,及び半導体レーザ装置

Inventor： 永井 豊
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996166213
Publication number (International publication number)：1998012975
Application date： Jun. 26, 1996
Publication date： Jan. 16, 1998
Summary：

【要約】【課題】 フォトリソグラフィ技術で形成できるフォトレジストの開口の最小の幅は50nmと量子効果が機能するサイズより2倍以上大きいので、このフォトリソグラフィ技術により作製される量子箱は、量子箱として有効に機能しない。【解決手段】 酒石酸水溶液(濃度50ウエイト%):過酸化水素水(濃度33ウエイト%)=5:1の混合液を用いて、AlAs下クラッド層2上に形成されたAl0.7 Ga0.3 Asバリア層3をエッチングすることにより、一辺Wが20nm以下の矩形の孔4を形成し、この矩形孔4をアンドープAlx Ga1-x As(0≦x≦0.4)量子箱層5で埋め込み、さらに全面にAlAs上クラッド層6を成長することにより、各矩形孔4に埋め込まれた量子箱層を量子箱とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、AlAsまたはAl組成比が0.7以上のAlGaAsからなる下クラッド層,Al組成比が0.7以上のAlGaAsからなるバリア層を順に成長する工程と、上記バリア層の全表面を、酒石酸水溶液と過酸化水素水の混合液であり、該酒石酸水溶液の濃度を50ウエイト%とし該過酸化水素水の濃度を33ウエイト%としたとき、その混合比が5:1であるエッチング液に浸漬することにより、上記バリア層を部分的にエッチングし、その底面に上記下クラッド層表面が露出した矩形孔を上記バリア層に形成する工程と、上記バリア層に形成された矩形孔内にのみ、GaAsまたはAl組成比が0.4以下であるAlGaAsからなる量子箱層を選択成長して、上記矩形孔を該量子箱層により埋め込む工程と、上記バリア層上,及び上記量子箱層上の全面に、AlAsまたはAl組成比が0.7以上のAlGaAsからなる上クラッド層を成長して、上記各矩形孔に埋め込まれた上記量子箱層を上記下クラッド層,上記バリア層,及び上記上クラッド層により囲むことによって、上記各矩形孔に埋め込まれた上記量子箱層を量子箱とする工程とを含むことを特徴とする量子箱の製造方法。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 29/06 ,  H01L 33/00

FI (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 29/06 ,  H01L 33/00 B