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J-GLOBAL ID：200903012283189124

半導体装置

Inventor： 服部 理恵 ,  永井 晃 ,  江口 州志 ,  瀬川 正則 ,  荻野 雅彦 ,  小角 博義 ,  石井 利昭
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996313330
Publication number (International publication number)：1998154777
Application date： Nov. 25, 1996
Publication date： Jun. 09, 1998
Summary：

【要約】【課題】ゴム状態での体積変化量が小さな樹脂硬化物を用いることにより、温度サイクル時の信頼性に優れた半導体装置を提供する。【解決手段】熱硬化性樹脂に一次平均粒径0.5μm 以下の超微粒子シリカ及び低弾性率成分を充填した樹脂硬化物を用いた半導体装置。

Claim (excerpt)：

ガラス状態での熱応力指数σ1とゴム状態での熱応力指数σ2の比σ2/σ1が0.100以上1.000以下である熱硬化性樹脂を用いた半導体装置。ここで熱応力指数=弾性率(kgf/cm2)×熱膨張係数(ppm/K)×10~4 と定義する。

IPC (6)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C08K 7/16 ,  C08L101/00 ,  C09J 7/00 ,  C09J201/00

FI (5)：

H01L 23/30 R ,  C08K 7/16 ,  C08L101/00 ,  C09J 7/00 ,  C09J201/00