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J-GLOBAL ID：200903012306578034

近接場光プローブ、近接場光記録装置およびその製造方法

Inventor： 井出 次男 ,  石田 方哉 ,  戛山 高信
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 稲葉 良幸 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998205535
Publication number (International publication number)：2000040252
Application date： Jul. 21, 1998
Publication date： Feb. 08, 2000
Summary：

【要約】【課題】 光損失が少なく、精度の高い近接場光プローブを提供する。【解決手段】 本発明の近接場光プローブは、照射光の波長より短い径の貫通穴(110)を有する凹部(111)を複数備える基板、凹部(111)内面の少なくとも一部を覆い、かつ、電気的に相互接続された透明電極層(101)、電流が流れることにより照射光を発する発光材料が凹部(111)にそれぞれ充填されて形成された発光層(102)、および、各凹部(111)に形成された発光層(102)に独立して駆動信号に基づく電流を供給可能に形成された電極層(104)を備える。発光層と開口部とが近接しているので、光損失が少なく精度を高くできる。

Claim (excerpt)：

特定光の波長より短い径の貫通穴を有する凹部を複数備える基板と、前記凹部内面の少なくとも一部を覆い、かつ、電気的に相互接続された透明電極層と、電流が流れることにより前記特定光を発する発光材料が前記凹部にそれぞれ充填されて形成された発光層と、各前記凹部に形成された発光層に独立して駆動信号に基づく電流を供給可能に形成された電極層と、を備えたことを特徴とする近接場光プローブ。

IPC (4)：

G11B 7/135 ,  G01B 11/30 ,  G11B 7/09 ,  G01N 13/14

FI (4)：

G11B 7/135 Z ,  G01B 11/30 Z ,  G11B 7/09 A ,  G01N 37/00 E

F-Term (33)：

2F065AA03 ,  2F065AA49 ,  2F065BB16 ,  2F065CC17 ,  2F065DD02 ,  2F065FF10 ,  2F065FF41 ,  2F065FF49 ,  2F065HH00 ,  2F065LL34 ,  2F065MM04 ,  2F065MM07 ,  2F065PP02 ,  2F065PP12 ,  2F065PP22 ,  2F065UU00 ,  2F065UU07 ,  5D118AA03 ,  5D118DC16 ,  5D119AA22 ,  5D119AA43 ,  5D119CA20 ,  5D119EC09 ,  5D119FA01 ,  5D119FA09 ,  5D119FA20 ,  5D119FA28 ,  5D119GA02 ,  5D119JA59 ,  5D119JA64 ,  5D119JB02 ,  5D119MA22 ,  5D119NA04