炭化けい素半導体装置の熱酸化膜形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：篠部正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997189954
Publication number (International publication number)：1999031691
Application date： Jul. 15, 1997
Publication date： Feb. 02, 1999
Summary：

【要約】【課題】炭化けい素半導体装置の熱酸化膜形成後の界面凖位密度を低減する。【解決手段】(1)水素と酸素を導入して熱酸化するパイロジェニック酸化によって酸化けい素膜を成長させる熱酸化膜形成方法において、水素と酸素の流量比を1:1よりも水素の流量が多い流量比とする。(2)酸化後の冷却を水素原子を含む雰囲気中でおこない、その冷却速度を0.3〜3°C/minの範囲とする。(3)酸化、冷却後の取り出し温度を900°C以下とする。

Claim (excerpt)：

加熱された炭化けい素表面上に、水素と酸素を導入して熱酸化するパイロジェニック酸化によって酸化けい素膜を成長させる熱酸化膜形成方法において、水素と酸素の流量比を1:1よりも水素の流量が多い流量比とすることを特徴とする炭化けい素半導体装置の熱酸化膜形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/316 , H01L 29/78

FI (2)：

H01L 21/316 S , H01L 29/78 301 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

炭化珪素半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-030409 Applicant：株式会社デンソー

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