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J-GLOBAL ID：200903012312916480

基体上に接合して規則化配列したナノ構造体およびその製造方法

Inventor：
和田 健二

About 和田 健二

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井上 悟

About 井上 悟

, 
轟 眞市

About 轟 眞市

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ショ ショウチク

About ショ ショウチク


Applicant, Patent owner：
独立行政法人物質・材料研究機構

About 独立行政法人物質・材料研究機構


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001265291
Publication number (International publication number)：2003073859
Application date： Sep. 03, 2001
Publication date： Mar. 12, 2003
Summary：
【要約】【課題】 基体上に規則化配列した酸化物などのナノ構造体を陽極酸化皮膜を用いて製作する。【構成】 導電層を有する基体上に金属を蒸着し、該金属を陽極酸化処理して基体上に多孔質陽極酸化皮膜からなる規則化配列した細孔を形成し、該細孔を化学溶解して細孔径を拡大し、該細孔中にナノ構造体物質を充填する。導電層は微細凹凸構造を設けてアンカー効果を発現させてナノ構造体物質と基体とを接合する。多層蒸着により形成される層間の隙間にもナノ構造体物質が充填されナノ構造体の倒壊が防止される。ナノ構造体を形成する物質をTiO2やZnOのように少なくとも紫外光や太陽光の紫外部を吸収して光触媒特性を有する化合物とすることができる。複合酸化物ナノ構造体を形成した後に、該陽極酸化皮膜のみを溶解除去すると、ナノチューブ、ナノドット、ナノロッド、ナノファイバ、ナノワイアなどの形状を有する基体上に規則化配列したナノ構造体が得られる。
Claim (excerpt)：
基体上に形成された多孔質陽極酸化皮膜の規則化配列した細孔中に充填され、該細孔底部のアンカー効果を発現する微細凹凸構造を有する導電層上に直接接合していることを特徴とする基体上に直接接合して規則化配列したナノ構造体。
IPC (9)：
C23C 28/00 ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  C23C 30/00 ,  C25D 11/04 305 ,  C25D 11/16 302 ,  C25D 11/18 301 ,  C25D 11/18 311 ,  C25D 11/18 312
FI (9)：
C23C 28/00 B ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  C23C 30/00 C ,  C25D 11/04 305 ,  C25D 11/16 302 ,  C25D 11/18 301 E ,  C25D 11/18 311 ,  C25D 11/18 312
F-Term (10)：
4K044AA12 ,  4K044BA02 ,  4K044BA10 ,  4K044BA12 ,  4K044BB04 ,  4K044BB14 ,  4K044CA04 ,  4K044CA13 ,  4K044CA14 ,  4K044CA15
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (1)

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