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J-GLOBAL ID：200903012315695507
スパッタリング装置及びスパッタリング方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995033771
Publication number (International publication number)：1996236448
Application date： Feb. 22, 1995
Publication date： Sep. 13, 1996
Summary：
【要約】【目的】 高真空度、高密度のプラズマで大面積の基板でも均一に処理することのできる小型のスパッタリング装置およびスパッタリング方法を提供する。【構成】 真空排気手段と反応ガス導入口15を有する真空容器11と、真空容器の一部として設置されたターゲットの誘電体板18の側面外周に、マイクロ波供給口をリング状に連通するように設置して、かつ、誘電体板18の背面に設置した金属電極20を設置することにより、真空容器内にマイクロ波電力が均一に放射され、磁界と相互作用して反応ガスを均一に高密度にプラズマ化し、その均一なプラズマ中のイオンが誘電体板裏面の電極に印加された高周波電力によりターゲットの誘電体板に加速入射し、スパッタリングが起こるので、ターゲットは均一にスパッタリングされる。
Claim (excerpt)：
真空排気手段と反応ガス導入口を有する真空容器と、前記真空容器内に設置された被処理基板保持手段と、前記真空容器の一部として設置された誘電体板と、前記誘電体板の外周側面が同軸導波管の中心導体と外導体がなす空隙と連通するように設置した同軸導波管と、前記同軸導波管に接続されたマイクロ波電力供給手段と、前記誘電体板の真空容器外側平面に設置した金属電極と、前記金属電極に高周波電力を印加する手段と、前記真空容器内の前記誘電体板表面部分に磁界を発生させる手段とを備えたスパッタリング装置。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/203 S
, C23C 14/35 F
