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J-GLOBAL ID：200903012341052207

半導体ウェハデバイス面保護用フィルム及びこれを用いた半導体ウェハ裏面研磨処理方法

Inventor： 塩貝 進 ,  今泉 純一
Applicant, Patent owner： 日立化成工業株式会社
Agent (1)： 若林 邦彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997236613
Publication number (International publication number)：1999087282
Application date： Sep. 02, 1997
Publication date： Mar. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】バックグラインド工程からスピンエッチング工程まで一貫して、デバイス面を保護することができる半導体ウェハデバイス面保護用フィルム及びそれを用いた半導体ウェハ裏面研磨処理方法を提供すること。【解決手段】半導体ウェハデバイス作成後、バックグラインド工程からスピンエッチング工程における半導体ウェハデバイス面保護用フィルムであって、バックグラインドの際に半導体ウェハデバイス面凹凸を吸収するための補強層と、スピンエッチングの際にデバイス面にエッチング液が回り込まないようウェハより一回り小さくできる保護層の2層からなる半導体ウェハデバイス面保護用フィルムを用いて研磨・エッチング処理をおこなう。

Claim (excerpt)：

半導体ウェハデバイス作成後、バックグラインド工程からスピンエッチング工程における半導体ウェハデバイス面保護用フィルムであって、バックグラインドの際に半導体ウェハデバイス面凹凸を吸収するための補強層と、スピンエッチングの際にデバイス面にエッチング液が回り込まないようウェハより一回り小さくできる保護層の2層からなる半導体ウェハデバイス面保護用フィルム。

IPC (3)：

H01L 21/304 321 ,  C09J 7/02 ,  H01L 21/306

FI (3)：

H01L 21/304 321 B ,  C09J 7/02 Z ,  H01L 21/306 Z