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J-GLOBAL ID：200903012351956210

角形エピタキシャルウェハ

Inventor： 菊池 幸夫 ,  柴田 幸弥
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 平田 忠雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998092915
Publication number (International publication number)：1999289107
Application date： Apr. 06, 1998
Publication date： Oct. 19, 1999
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 品質を向上させることができると共に、デバイス製造工程における加工性,及び取扱性を向上させることができる角形エピタキシャルウェハを提供する。【解決手段】外周を研削加工により整形し、各辺の方向を<110>劈開方向と一致させた。外周は、研削加工により面取りされた構成を有する。また、外周は各辺の劈開方向に対する角度が0〜90度である。

Claim (excerpt)：

半導体基板上にエピタキシャル成長層を有し、外周が角形に整形された角形エピタキシャルウェハにおいて、前記外周は研削加工により前記角形に整形された構成を有することを特徴とする角形エピタキシャルウェハ。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/304 601

FI (3)：

H01L 33/00 A ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/304 601 H