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J-GLOBAL ID：200903012362865402
半導体装置およびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991198185
Publication number (International publication number)：1993048108
Application date： Aug. 08, 1991
Publication date： Feb. 26, 1993
Summary：
【要約】【目的】 SOI 構造のMISFETに関し,その駆動能力を従来よりも向上させることを目的とする。【構成】 絶縁層を介して支持基板上に形成された単結晶半導体層に画定されたチャネル領域の上表面および下表面のそれぞれに互いに対向する一対のゲート電極を形成するとともに,該チャネル領域における半導体結晶層中に埋没するようにして前記一対のゲート電極と対向する第3のゲート電極を設けた構造とする。
Claim (excerpt)：
絶縁性の一表面を有する支持基板によって支持された半導体層と,該半導体層に画定されたチャネル領域と,該半導体層を挟んで該チャネル領域の両側に互いに対向するように設けられた一対のゲート電極と,該チャネル領域内に埋没するようにして該一対のゲート電極と対向して設けら第3のゲート電極該半導体層の内部において該チャネル領域の両側に形成されたソースおよびドレイン領域と,該一対のゲート電極と該第3のゲート電極を接続する導電層とを備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 29/78 311 X
, H01L 29/78 311 G
