ハフニウムアルコキシトリス(β-ジケトネート)とその製造方法およびそれを用いた酸化物膜の製法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000301239
Publication number (International publication number)：2002069027
Application date： Aug. 25, 2000
Publication date： Mar. 08, 2002
Summary：

【要約】【課題】ゲート絶縁膜などのHf含有酸化物薄膜をCVD法で成膜するための原料として、Hf(OtBu)4より安定で、取扱いしやすく、Hf(dpm)4より低温で成膜できる化合物を提供する。さらにその製法と、それを用いてHf含有酸化物薄膜を作る方法を提供する。【解決手段】新規化合物Hf(OiPr)(dpm)3は0.1Torr/160°C、Hf(OtBu)(dpm)3は0.1Torr/170°Cの昇華圧を持ち、融点200°C以上の結晶である。それはHf(OiPr)4またはHf(OtBu)41モルと、dpmH3モルとを有機溶媒中で反応させ、昇華精製して得られる。担持昇華法あるいは溶液フラッシュ法により本化合物を供給し、酸素雰囲気中、500°CでCVDを行うと容易にHfO2膜を形成できる。

Claim (excerpt)：

Hf(OR)(L)3・・・・・・・・式I(Rは炭素数1〜4のアルキル基、Lはβ-ジケトネートを表す)で表される化合物。

IPC (5)：

C07C 49/92 , C07C 45/77 , C23C 16/40 , H01L 21/316 , C07F 7/00

FI (5)：

C07C 49/92 , C07C 45/77 , C23C 16/40 , H01L 21/316 X , C07F 7/00 Z

F-Term (35)：

4H006AA01 , 4H006AA02 , 4H006AB40 , 4H006AB78 , 4H006AB84 , 4H006AB91 , 4H006AC91 , 4H006AD11 , 4H006AD17 , 4H006BB11 , 4H006BC31 , 4H049VN07 , 4H049VP01 , 4H049VQ24 , 4H049VR44 , 4H049VS21 , 4H049VT40 , 4H049VU24 , 4H049VV02 , 4H049VW02 , 4K030AA11 , 4K030AA14 , 4K030BA42 , 4K030CA04 , 4K030FA10 , 4K030LA02 , 4K030LA15 , 5F058BA20 , 5F058BC03 , 5F058BF04 , 5F058BF05 , 5F058BF07 , 5F058BF22 , 5F058BF29 , 5F058BG03

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

Return to Previous Page