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J-GLOBAL ID：200903012378442102

ポジ型レジスト膜形成用塗布液

Inventor： 佐藤 和史 ,  新田 和行 ,  山崎 晃義 ,  坂井 与日 ,  中山 寿昌
Applicant, Patent owner： 東京応化工業株式会社
Agent (1)： 阿形 明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995149285
Publication number (International publication number)：1997005987
Application date： Jun. 15, 1995
Publication date： Jan. 10, 1997
Summary：

【要約】【構成】 (A)放射線照射により酸を発生する化合物、(B)酸の作用によりアルカリ水溶液への溶解度が増大する樹脂成分及び(C)ケトン系、エーテル系やエステル系溶剤から成る基本組成に対し、(D)N,N-ジアルキルカルボン酸アミドを(B)成分に基づき0.1〜5重量%の割合で配合して成るポジ型レジスト膜形成用塗布液である。【効果】 化学増幅型で、高感度及び高解像性を有し、かつ孤立したレジストパターン形状に優れ、超LSIの製造工程の微細加工に特に有効に使用できる。

Claim (excerpt)：

(A)放射線照射により酸を発生する化合物、(B)酸の作用によりアルカリ水溶液への溶解度が増大する樹脂成分及び(C)ケトン系、エーテル系及びエステル系溶剤の中から選ばれた少なくとも1種から成る基本組成に対し、(D)N,N-ジアルキルカルボン酸アミドを(B)成分に基づき0.1〜5重量%の割合で配合したことを特徴とするポジ型レジスト膜形成用塗布液。

IPC (4)：

G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/027

FI (4)：

G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/30 502 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• レジスト塗布組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-197814   Applicant：日本合成ゴム株式会社
• 感放射線性樹脂組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-253741   Applicant：日本合成ゴム株式会社
• 感放射線性樹脂組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-261875   Applicant：日本合成ゴム株式会社