Pat

J-GLOBAL ID：200903012379311079

薄膜トランジスタおよびその製造方法

Inventor： 木村 忠之
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 国則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992076243
Publication number (International publication number)：1993243575
Application date： Feb. 27, 1992
Publication date： Sep. 21, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、能動領域を多結晶シリコン膜で形成する薄膜トランジスタにおいて、多結晶シリコン膜の結晶粒径を大きく形成することにより、電気的特性として、高ON/OFF比、低リーク電流、高移動度を可能にする。【構成】 能動領域を多結晶シリコン膜14で形成した薄膜トランジスタ10であって、多結晶シリコン膜14をチャネル長Lの1/5以上の大きさでかつチャネル幅Wの1/3以上の大きさの結晶で形成したものである。その製造方法としては、表面が絶縁性の基板11上面にゲート電極12を形成した後、それを覆うゲート絶縁膜13を形成し、さらにその上に、形成しようとする薄膜トランジスタ10のチャネル長Lの1/5以上の大きさでかつチャネル幅Wの1/3以上の大きさの粒径を有する多結晶シリコン膜14を形成する。続いて表面酸化処理により多結晶シリコン膜14を薄膜化した後、薄膜トランジスタ10を完成させる。

Claim (excerpt)：

能動領域を多結晶シリコン膜で形成した薄膜トランジスタであって、前記多結晶シリコン膜を、前記薄膜トランジスタのチャネル長の1/5以上の大きさでかつ同薄膜トランジスタのチャネル幅の1/3以上の大きさを有する粒径の結晶で形成したことを特徴とする薄膜トランジスタ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭63-262875
  
• 特開昭61-127118
  
• 特開昭63-146436