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J-GLOBAL ID:200903012383200834

SiO▲下2▼薄膜、それを作製する方法およびその使用

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 三枝 英二 (外10名)
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):1997512383
Publication number (International publication number):1999514960
Application date: Sep. 17, 1996
Publication date: Dec. 21, 1999
Summary:
【要約】SiO2薄膜が、a)一般式(I)Rx-Si-A4-xを有する1種以上のシランを40〜100重量%[式中、基Aは、同一または異なって、ヒドロキシル基または加水分解で除去可能な基を示し、基Rは、同一または異なって、加水分解で除去できない基を示し、xは、0、1、2または3を示し、ただし該シランの少なくとも70モル%はx≧1である]を、必要に応じて、b)コロイドSiO2を0〜50重量%および/またはc)有機結合剤を0〜10重量%の存在下に、加水分解および縮合して得られ得る。このようにして得られた粘性ゾルはゲル膜に加工され、該ゲル膜は熱処理される。
Claim (excerpt):
a)一般式(I)を有する1種以上のシランを40〜100重量% Rx-Si-A4-x (I)[式中、基Aは、同一または異なって、ヒドロキシル基または加水分解で除去可能な基を示し、基Rは、同一または異なって、加水分解で除去できない基を示し、xは、0、1、2または3を示す、ただし該シランの少なくとも70モル%はx≧1である]を、必要に応じてb)コロイドSiO2を0〜50重量% および/またはc)有機結合剤を0〜10重量% の存在下に加水分解および縮合し、得られた粘性ゾルをゲル膜に加工し該ゲル膜を熱処理する、 ことを特徴とするSiO2薄膜の作製方法。
IPC (2):
C03B 8/02 ,  C03B 19/12
FI (2):
C03B 8/02 B ,  C03B 19/12 A

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