Pat

J-GLOBAL ID：200903012388309273

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 松木 武雄 ,  青山 知憲
Applicant, Patent owner： NECエレクトロニクス株式会社
Agent (1)： 速水 進治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004329639
Publication number (International publication number)：2005303261
Application date： Nov. 12, 2004
Publication date： Oct. 27, 2005
Summary：

【課題】 NMOSFETおよびPMOSFETがともに良好な電流特性を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板1上のNMOS領域に、ニッケルシリサイド膜13からゲート電極11を形成する。また、PMOS領域に、多結晶のシリコン膜12からなるゲート電極10を形成する。ニッケルシリサイド膜13は、シリコン基板1から圧縮応力を受ける材料であり、多結晶のシリコン膜12は、シリコン基板1から引張応力を受ける材料である。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

シリコン基板上にNMOSFETとPMOSFETとで構成される半導体装置において、 前記NMOSFETのゲート電極は、前記シリコン基板から圧縮応力を受ける材料からなることを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L21/8238 ,  H01L21/28 ,  H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

FI (5)：

H01L27/08 321D ,  H01L21/28 301A ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/28 301S ,  H01L29/58 G

F-Term (39)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB29 ,  4M104BB30 ,  4M104BB31 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD03 ,  4M104DD04 ,  4M104DD37 ,  4M104DD84 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104FF18 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F048AA08 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB10 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB13 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048BF06 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-274533   Applicant：株式会社日立製作所
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-105000   Applicant：ソニー株式会社