半導体装置とその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：畑泰之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998127256
Publication number (International publication number)：1999330263
Application date： May. 11, 1998
Publication date： Nov. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】ゲート絶縁膜の信頼性を損なうことなく、3nm以上の膜厚差を有するゲート絶縁膜を有する半導体装置を提供する。【解決手段】同一のチップ上に異なる膜厚の第1のゲート絶縁膜12と第2のゲート絶縁膜13とを形成した半導体装置において、前記第1の膜厚のゲート酸化膜12には第1の元素が含有され、前記第2の膜厚のゲート酸化膜13には第2の元素が含有されていることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

同一のチップ上に膜厚の異なる第1のゲート絶縁膜と第2のゲート絶縁膜とを形成した半導体装置において、膜厚の薄い前記第1のゲート酸化膜には第1の元素が含有され、膜厚の厚い前記第2のゲート酸化膜には第2の元素が含有されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 21/316 , H01L 29/78

FI (3)：

H01L 27/08 102 C , H01L 21/316 S , H01L 29/78 301 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

メモリ素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-244949 Applicant：エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
半導体装置及び半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-244443 Applicant：三菱電機株式会社

Return to Previous Page