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J-GLOBAL ID：200903012423328170
金属薄膜の形成装置および形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993063702
Publication number (International publication number)：1994275557
Application date： Mar. 23, 1993
Publication date： Sep. 30, 1994
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、高アスペクト比のコンタクト部を埋め込む金属薄膜の形成方法を提供する。【構成】 基板10を形成しようとする金属の融点以上に加熱した後、溶融槽5により融点以上に加熱され溶融した金属11を基板10上に滴下し、基板を回転させることにより、基板上の溶融した金属を基板表面全体に均一に回転塗布する。その後、基板を冷却して溶融していた金属を凝固させることにより金属薄膜を形成する。【効果】 溶融した金属を回転塗布することにより、凹部に金属を埋めることができ、低抵抗・長寿命の配線形成が可能になる。
Claim (excerpt)：
金属を高温に熱し溶融する手段と、基板を前記金属の融点以上に加熱保持する手段と、前記基板に所望の量の前記溶融した金属を滴下する手段と、前記基板を回転させる手段と、前記金属を不活性ガス雰囲気に保つ手段とを備え、高温溶融金属を基板上に回転塗布することを特徴とする金属薄膜の形成装置。
IPC (2)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/3205
