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J-GLOBAL ID:200903012440932359
Bi-Sr-Ca-Cu-O系超電導薄膜及びその製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
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Agent (1):
重野 剛
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991255206
Publication number (International publication number):1993097589
Application date: Oct. 02, 1991
Publication date: Apr. 20, 1993
Summary:
【要約】【目的】 ジョセフソン接合デバイス、三端子デバイス等の作製に好適な、基板面に対して(119)面を選択的に成長配向させたBi-Sr-Ca-Cu-O系超電導膜及びその製造方法を提供する。【構成】 ペロブスカイト構造を持ったABO3 型酸化物の[110]単結晶よりなる基板に、成膜されたBi-Sr-Ca-Cu-O系超電導膜であって、基板面に対して(119)面が選択的に成長しているBi-Sr-Ca-Cu-O系超電導膜。上記基板に、化学的気相成長法により成膜する。【効果】 化学的気相成長法によりジョセフソン接合デバイス、三端子デバイス等に極めて有効なBi-Sr-Ca-Cu-O系超電導膜が提供される。
Claim (excerpt):
ペロブスカイト構造を持ったABO3 型酸化物の[110]単結晶よりなる基板に成膜されたBi-Sr-Ca-Cu-O系超電導薄膜であって、該基板面に対して(119)面が選択的に成長しているBi-Sr-Ca-Cu-O系超電導薄膜。
IPC (4):
C30B 29/22 501
, H01B 13/00 565
, H01L 39/24 ZAA
, H01B 12/06 ZAA
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
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酸化物超電導薄膜合成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-184195
Applicant:日本電気株式会社
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