Pat

J-GLOBAL ID：200903012440932359

Bi-Sr-Ca-Cu-O系超電導薄膜及びその製造方法

Inventor： 塩原 融 ,  杉本 常実 ,  久保田 伸彦
Applicant, Patent owner： 財団法人国際超電導産業技術研究センター ,  宇部興産株式会社 ,  石川島播磨重工業株式会社
Agent (1)： 重野 剛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991255206
Publication number (International publication number)：1993097589
Application date： Oct. 02, 1991
Publication date： Apr. 20, 1993
Summary：

【要約】【目的】 ジョセフソン接合デバイス、三端子デバイス等の作製に好適な、基板面に対して(119)面を選択的に成長配向させたBi-Sr-Ca-Cu-O系超電導膜及びその製造方法を提供する。【構成】 ペロブスカイト構造を持ったABO3 型酸化物の[110]単結晶よりなる基板に、成膜されたBi-Sr-Ca-Cu-O系超電導膜であって、基板面に対して(119)面が選択的に成長しているBi-Sr-Ca-Cu-O系超電導膜。上記基板に、化学的気相成長法により成膜する。【効果】 化学的気相成長法によりジョセフソン接合デバイス、三端子デバイス等に極めて有効なBi-Sr-Ca-Cu-O系超電導膜が提供される。

Claim (excerpt)：

ペロブスカイト構造を持ったABO3 型酸化物の[110]単結晶よりなる基板に成膜されたBi-Sr-Ca-Cu-O系超電導薄膜であって、該基板面に対して(119)面が選択的に成長しているBi-Sr-Ca-Cu-O系超電導薄膜。

IPC (4)：

C30B 29/22 501 ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/24 ZAA ,  H01B 12/06 ZAA

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 酸化物超電導薄膜合成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-184195   Applicant：日本電気株式会社