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J-GLOBAL ID：200903012447251705

半導体集積回路装置および非接触型電子装置

Inventor：
渡邊 一希

About 渡邊 一希

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窪田 勝

About 窪田 勝

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松下 一浩

About 松下 一浩

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木野田 一

About 木野田 一


Applicant, Patent owner：
株式会社日立製作所

About 株式会社日立製作所

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株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ

About 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ


Agent (1)： 作田 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002123390
Publication number (International publication number)：2003319574
Application date： Apr. 25, 2002
Publication date： Nov. 07, 2003
Summary：
【要約】【課題】非接触型ICカードのアンテナ端子に発生する電圧が、素子の耐圧を超えないように制御する。【解決手段】ゲートとドレインが第1抵抗手段を介して接続されて第1、第2の入力端子間に整流電流を流す第1整流トランジスタと、制御電圧に応答した電流を形成する第1電圧制御電流源と、第1整流トランジスタのソース側に得られる整流電圧が所定の基準電圧と一致するよう上記制御電圧を形成する第1電圧検出手段と、第1入力端子と整流電圧を出力する第1出力端子との間に上記整流電流に対応した電流を流す第1一方向性素子とを備え、上記第1と第2入力端子の間に発生する電圧を上記回路を構成する素子の耐圧を超えないように上記第1抵抗手段の抵抗値を設定する。
Claim (excerpt)：
交流電圧が印加される第1入力端子および第2入力端子と、上記第2入力端子にドレイン(またはコレクタ)が接続され、ゲート(またはベース)とドレイン(またはコレクタ)とが第1抵抗手段を介して接続されて上記第2入力端子と上記第2出力端子との間に整流電流を流す第1整流トランジスタと、制御電圧に応答した電流を形成して上記第1抵抗手段に供給する第1電圧制御電流源と、上記第1整流トランジスタのソース(またはエミッタ)側に得られる整流電圧が所定の基準電圧と一致するよう上記制御電圧を形成する第1電圧検出手段と、上記第1入力端子と整流電圧を出力する第1出力端子との間に上記整流電流に対応した電流を流す第1一方向性素子とを備え、上記第1整流トランジスタのソース(またはエミッタ)は整流電圧が出力される第2出力端子に接続され、自己インピーダンスを変動させることによって外部へ情報を送出する第1送信機能を有し、上記第1と第2入力端子の間に発生する電圧を上記回路を構成する素子の耐圧を超えないように上記第1抵抗手段の抵抗値を設定したことを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (5)：
H02J 17/00 ,  G06K 19/07 ,  H02H 7/20 ,  H02H 9/04 ,  H04B 5/02
FI (6)：
H02J 17/00 B ,  H02H 7/20 E ,  H02H 9/04 B ,  H04B 5/02 ,  G06K 19/00 H ,  G06K 19/00 J
F-Term (20)：
5B035AA00 ,  5B035BB09 ,  5B035CA12 ,  5B035CA22 ,  5B035CA23 ,  5G013AA07 ,  5G013BA02 ,  5G013CB02 ,  5G013DA05 ,  5G053AA09 ,  5G053BA04 ,  5G053CA05 ,  5G053EA09 ,  5G053EC03 ,  5G053FA06 ,  5K012AC06 ,  5K012AC08 ,  5K012AC10 ,  5K012AE02 ,  5K012BA02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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