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J-GLOBAL ID：200903012468790215

水素吸蔵電極の製造方法

Inventor： 芳尾 真幸 ,  野口 英行
Applicant, Patent owner： 芳尾 真幸 ,  野口 英行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993132322
Publication number (International publication number)：1994310136
Application date： Apr. 24, 1993
Publication date： Nov. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 この発明は、水素吸蔵合金上に坦時した有機金属錯体を水素ガスあるいは不活性ガス雰囲気下熱分解し、水素吸蔵合金表面に金属層や新しい合金相を生成させた合金を負極活物質として水素吸蔵負極を製造する方法に関するものである。【構成】 有機金属錯体の熱分解により生成する表面金属層や新たな表面合金相を有する水素吸蔵合金を負極活物質とし導電性結着剤あるいは結着剤、および導電剤と混合し、導電性支持体に圧着して水素吸蔵負極を製造する。

Claim (excerpt)：

有機金属錯体の熱分解生成物による水素吸蔵合金の被覆方法

IPC (2)：

H01M 4/26 ,  H01M 4/24