Pat
J-GLOBAL ID：200903012482795912
ArFエキシマレーザリソグラフィー用合成石英マスク基板およびその製造方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 亮一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994163473
Publication number (International publication number)：1996031723
Application date： Jul. 15, 1994
Publication date： Feb. 02, 1996
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 ArFエキシマレーザの照射に対して優れた安定性を有するArFエキシマレーザリソグラフィー用合成石英マスク基板およびその製造方法を提供する。【構成】 このエキシマレーザリソグラフィー用合成石英マスク基板は、水素分子含有量が 0.5〜4×1018molecules/cm3 で塩素を含有せず、OH基含有量が 700〜1,000ppmで一方向脈理がフリーであり、低エネルギーのArFエキシマレーザを照射したときの吸光度がK≦0.008cm-1 で、高エネルギーのArFレーザを照射したときの屈折率偏差量が△n≦1×10-6であるものであり、この製造方法はアルコキシシランを5重管の酸水素火炎バーナー中で火炎加水分解して得たシリカ微粒子から作られた合成石英ガラスから作るものである。
Claim (excerpt)：
水素分子含有量が 0.5〜4×1018molecules/cm3 で基板面内の分布差が△H2 ≦3×1018molecules/cm3 で、塩素を含有せず、OH基含有量が 700〜1,000ppmで基板面内分布差が△OH≦100ppmで、少なくとも一方向脈理フリーであり、低エネルギーのArFエキシマレーザを照射したときの吸光度がK≦0.008cm-1 で、高エネルギーのArFエキシマレーザを照射したときの屈折率偏差量が△n≦1×10-6であることを特徴とするArFエキシマレーザリソグラフィー用合成石英マスク基板。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 515 B
