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J-GLOBAL ID：200903012503106659

半導体パッケージ及びその製造方法

Inventor： 稲葉 正俊 ,  鈴木 孝直 ,  大湊 忠則 ,  海津 雅洋 ,  黒坂 昭人
Applicant, Patent owner： 株式会社フジクラ
Agent (1)： 藤巻 正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999165719
Publication number (International publication number)：2000353763
Application date： Jun. 11, 1999
Publication date： Dec. 19, 2000
Summary：

【要約】【課題】 プリント基板等に実装され使用される際に発生する応力を分散することができると共に、短時間で製造することができる半導体パッケージ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 Cuメッキ層3上に残存するように、Cu箔5をエッチングする。このとき、残存するCu箔5の面積がCuメッキ層3の面積よりも小さくなるようにする。続いて、例えばレーザを使用しCu箔5をマスクとして樹脂フィルム4をエッチングすることにより、Cu箔5側からCuメッキ層3側にかけて面積が広くなるテーパ形状(台形状)に樹脂フィルム4を残存させる。次に、全面に金属層6を形成することにより、Cu箔5とCuメッキ層3との間の導通を確保する。このとき、樹脂フィルム4がテーパ形状となっているので、金属層6の形成は容易である。次いで、Cu箔5の表面上、樹脂フィルム4の側面上及びCuメッキ層3の表面上に残存するように金属層6をエッチングする。

Claim (excerpt)：

電極が設けられたウェハを封止する樹脂層と、この樹脂層を貫通し前記電極に一方の端部が接続されたポストと、このポストの他方の端部に接続されたバンプと、を有する半導体パッケージにおいて、前記ポストは、前記電極に接続された第1の導電層と、この第1の導電層上に形成された樹脂層と、この樹脂層上に形成された第2の導電層と、前記樹脂層の側面に形成され前記第1及び第2の導電層を相互に接続する第3の導電層と、を有することを特徴とする半導体パッケージ。

IPC (3)：

H01L 23/12 ,  H01L 21/56 ,  H01L 21/60

FI (5)：

H01L 23/12 F ,  H01L 21/56 R ,  H01L 21/92 602 F ,  H01L 23/12 N ,  H01L 23/12 L

F-Term (4)：

5F061AA01 ,  5F061BA07 ,  5F061CA05 ,  5F061CB13

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置、半導体装置用パッケージ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-127395   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-028448   Applicant：株式会社三井ハイテック