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J-GLOBAL ID：200903012532202381

銅ダマシン集積回路用HDP-FSG処理

Inventor： ウェン マ ,  ヒケム ムサード
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001117145
Publication number (International publication number)：2002057157
Application date： Apr. 16, 2001
Publication date： Feb. 22, 2002
Summary：

【要約】【課題】 処理室内で基板に薄膜を堆積させる方法。【解決手段】 この方法では、ケイ素含有ガス、酸素含有ガス、及びフッ素含有ガスから生成された高密度プラズマにより、フッ化ケイ酸塩ガラス(FSG)の層を基板上に堆積させる。FSG層の堆積中、基板には1平方センチメートル当たり1.3ワット以下のバイアス電力密度でバイアスをかける。特定の実施形態では、0.0W/cm2の電力レベルで基板にバイアスを加え(したがってバイアスが全く加えられない)、一部の実施形態では、プラズマ生成システムは1平方センチメートル当たり約20.7W以上の合計ソース電力をプラズマに加える。好適な実施形態では、ケイ素含有ガスとフッ素含有ガスとの合計流量に対するフッ素含有ガスの流量の比率が約0.55未満になるようにチャンバへガスを流入させる。更に、好適な実施形態では、ケイ素含有ガスとフッ素含有ガスとの合計流量に対する酸素含有ガスの流量が約1.5より大きい。

Claim (excerpt)：

処理室内で基板に薄膜を堆積させる方法であって、(a)チャンバにケイ素含有ガス、フッ素含有ガス、及び酸素含有ガスを含むガス状混合物を供給するステップと、(b)ガス状混合物から高密度プラズマを生成するステップと、(c)基板に対してプラズマをバイアスせずに、又は1平方センチメートル当たり約1.3ワット未満のバイアス電力密度で基板にバイアスをかけることで、プラズマから基板にフッ化ケイ酸塩ガラス(FSG)層を堆積させるステップとを備える方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (3)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/90 K ,  H01L 21/88 M

F-Term (31)：

5F033HH11 ,  5F033JJ11 ,  5F033KK11 ,  5F033MM02 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ74 ,  5F033RR06 ,  5F033RR11 ,  5F033SS01 ,  5F033SS02 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033WW04 ,  5F033WW06 ,  5F033WW07 ,  5F033WW09 ,  5F033XX12 ,  5F033XX28 ,  5F058BD01 ,  5F058BD06 ,  5F058BD07 ,  5F058BD10 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF24 ,  5F058BF29 ,  5F058BF34 ,  5F058BF37 ,  5F058BF39