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J-GLOBAL ID：200903012542965120

機能性炭素材料の製法

Inventor： 松井 久次 ,  山口 千春 ,  安田 歩 ,  川瀬 昇
Applicant, Patent owner： 大阪瓦斯株式会社
Agent (1)： 三枝 英二 (外8名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999125019
Publication number (International publication number)：2000016806
Application date： Apr. 30, 1999
Publication date： Jan. 18, 2000
Summary：

【要約】【課題】高収率かつ高純度でダイヤモンド薄膜、微粒子状ダイヤモンド、フラレン、中空オニオンライクカーボン、金属を内包する中空オニオンライクカーボンなどの機能性炭素材料を合成する新規な技術を提供することを主な目的とする。【解決手段】-C≡C-および/または=C=を含む炭素材料に対し、光、電子線およびイオンビームの少なくとも1種を照射することにより、あるいは-C≡C-および/または=C=を含む炭素材料を加熱することにより、あるいは-C≡C-および/または=C=を含む炭素材料を照射処理と加熱処理とに供することにより、反応させて、ダイヤモンド薄膜、微粒子状ダイヤモンド、フラレン、中空オニオンライクカーボンおよび金属を内包する中空オニオンライクカーボンの少なくとも1種を形成させる。

Claim (excerpt)：

-C≡C-および/または=C=を含む炭素材料に対し、光、電子線およびイオンビームの少なくとも1種を照射することにより、或いは-C≡C-および/または=C=を含む炭素材料を加熱することにより、或いは-C≡C-および/または=C=を含む炭素材料を照射処理と加熱処理とに供することにより、反応させて、ダイヤモンド薄膜、微粒子状ダイヤモンド、フラレン、中空オニオンライクカーボンおよび金属を内包する中空オニオンライクカーボンの少なくとも1種を形成させることを特徴とする、機能性炭素材料の製法。

IPC (3)：

C01B 31/02 101 ,  C01B 31/06 ,  C30B 29/04

FI (3)：

C01B 31/02 101 F ,  C01B 31/06 A ,  C30B 29/04 U