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J-GLOBAL ID：200903012543659758
プラズマ処理装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992250254
Publication number (International publication number)：1994104184
Application date： Sep. 18, 1992
Publication date： Apr. 15, 1994
Summary：
【要約】【目的】 ECR放電プラズマを用いたプラズマ処理装置に関し、大電力のμ波の導入が容易にでき、且つ高均一なプラズマが得られようにすることを目的とする。【構成】 プラズマ処理室1内の被処理試料9面に対向する平面上に、異なる極性を有する複数の永久磁石4N、4Sが交互に分散配置されてなる磁場形成手段と、前記平面上の永久磁石4N、4Sの離間部に分散配置された複数のマイクロ波アンテナ5よりなるマイクロ波導入手段とを有してなり、電子サイクロトロン共鳴放電により該プラズマ処理室1内に導入された反応ガスにプラズマ10を発生させるように構成する。
Claim (excerpt)：
プラズマ処理室内の被処理試料面に対向する平面上に、異なる極性を有する複数の永久磁石が交互に分散配置されてなる磁場形成手段と、前記平面上の永久磁石の離間部に分散配置された複数のマイクロ波アンテナよりなるマイクロ波導入手段とを有してなり、電子サイクロトロン共鳴放電により該プラズマ処理室内に導入された反応ガスにプラズマを発生させることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (2)：
H01L 21/205
, H01L 21/302
