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J-GLOBAL ID：200903012545835278
比誘電率傾斜型誘電体基板
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
宮▼崎▲ 主税 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993001319
Publication number (International publication number)：1994204714
Application date： Jan. 07, 1993
Publication date： Jul. 22, 1994
Summary：
【要約】【目的】 従来実現することが不可能と考えられていた比誘電率範囲の比誘電率傾斜構造を実現することを可能とする、比誘電率傾斜型誘電体基板を得る。【構成】 誘電体2の端面2aに、該端面2aに直交する方向に陥没した空隙3が形成されており、空隙3の深さが誘電体2の厚み方向に沿って連続的または階段状に変化されている比誘電率傾斜型誘電体基板1。
Claim (excerpt)：
両主面と、厚み方向に延びかつ前記両主面を結ぶ複数の端面とを有する誘電体基板の少なくとも1の前記端面に、該端面に直交する方向に陥没された空隙が形成されており、前記空隙の深さが、誘電体基板の厚み方向に沿って連続的にまたは階段状に変化されていることを特徴とする、比誘電率傾斜型誘電体基板。
IPC (3)：
H01P 3/08
, H01P 11/00
, H05K 1/03
