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J-GLOBAL ID：200903012547717159

薄膜型フラックスゲート磁気センサ

Inventor： 飯島 健二
Applicant, Patent owner： 株式会社島津製作所
Agent (1)： 中村 茂信
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994027112
Publication number (International publication number)：1995234269
Application date： Feb. 25, 1994
Publication date： Sep. 05, 1995
Summary：

【要約】【目的】 励振巻線の発熱を防止、軽減し得る薄膜型フラックスゲート磁気センサを提供する。【構成】 原発振回路21で、nf0 の周波数の信号を発生し、分周器22でn分の1の周波数f0 の信号に分周し、この信号を高域通過フィルタ23で微分し、バッファ増幅器24で定電流化し、あるいは定電圧化し、センサ素子の励振巻線25に加える。

Claim (excerpt)：

磁性材及び巻線を蒸着又はスパッタリングで形成する薄膜型フラックスゲート磁気センサにおいて、波形が、a.正負両側波形であり、b.正側波形、負側波形の振幅が零でない区間が、時間軸に対して鏡面対称であり、かつ正側と負側の振幅が零でない区間の波形は、互いに各々の極性の振幅が零でない区間の発生周期Tの半分だけずれており、c.センサ素子の磁性材を飽和させるのに、十分な電流を供給可能である振幅レベルを持つ周期TP が励振波形の周期Tの1/4以下である、励振信号を発生する励振信号発生回路を備え、前記波形で定電流源あるいは定電圧源で励振するようにしたことを特徴とする薄膜型フラックスゲート磁気センサ。