ドライエッチ基板の表面処理方法および装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：西教圭一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998087238
Publication number (International publication number)：1999283971
Application date： Mar. 31, 1998
Publication date： Oct. 15, 1999
Summary：

【要約】【課題】高融点金属のドライエッチング後の基板の表面に発生するエッチングガスなどと金属材料との反応生成物を完全に除去し、成膜上の欠陥の発生を確実に防止する。【解決手段】ドライエッチングして配線パターンを形成した基板を、レジストアッシング処理によってマスクとして用いられるレジストを除去する前にバッファードふっ酸溶液にディッピングし、これに続いて温純水へディッピング処理し、確実に反応生成物を除去する。

Claim (excerpt)：

基材上に形成される高融点金属から成る金属膜がレジストによって被覆される成膜基板を、ドライエッチングして配線パターンを形成した後、レジストアッシングして前記レジストを除去するドライエッチ基板の表面処理方法において、前記ドライエッチングして配線パターンを形成した基板を、前記レジストアッシング前にバッファードふっ酸溶液へディッピングした後、温純水へディッピングすることを特徴とするドライエッチ基板の表面処理方法。

IPC (5)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H01L 21/28 , H01L 21/027 , H01L 21/3213

FI (5)：

H01L 21/302 N , C23F 4/00 A , H01L 21/28 A , H01L 21/30 572 A , H01L 21/88 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平4-103132
処理装置および処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-071382 Applicant：東京エレクトロン株式会社
試料処理方法および装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-017997 Applicant：株式会社日立製作所

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