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J-GLOBAL ID：200903012567748735

固体撮像素子

Inventor： 宇野 正幸
Applicant, Patent owner： オリンパス光学工業株式会社
Agent (1)： 最上 健治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992036922
Publication number (International publication number)：1993207375
Application date： Jan. 29, 1992
Publication date： Aug. 13, 1993
Summary：

【要約】【目的】 フォトダイオードの接合容量に起因する感度の低下を抑えると共に、積分期間中に入射光量が変化しても正しい信号出力電圧が得られるようにした固体撮像素子を提供する。【構成】 一端を接地したフォトダイオード1と、ゲートにフォトダイオード1の他端を接続しソースを接地しドレインに負荷5を接続したn型MOSトランジスタ2と、該n型MOSトランジスタ2のドレインとゲートの間に接続された帰還容量素子3及びリセット用のスイッチング素子4とで形成した基本セルで固体撮像素子を構成する。

Claim (excerpt)：

アノード又はカソードの一端が接地されたフォトダイオードと、ゲートに前記フォトダイオードの他端が接続され、ソースは接地され、ドレインには負荷が接続された第1のトランジスタと、該第1のトランジスタのドレインとゲートの間に接続された帰還容量素子及びリセット用の第1のスイッチング素子とで構成され、フォトダイオードに入射された光量を第1のトランジスタのドレイン電圧の変化として出力する光電変換検出セルを備えていることを特徴とする固体撮像素子。

IPC (4)：

H04N 5/335 ,  H01L 27/146 ,  H04N 1/028 ,  H01L 31/10

FI (2)：

H01L 27/14 A ,  H01L 31/10 G