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J-GLOBAL ID：200903012573720796

双方向半導体発光素子及び光伝送装置

Inventor： 古山 英人
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999209062
Publication number (International publication number)：2001036141
Application date： Jul. 23, 1999
Publication date： Feb. 09, 2001
Summary：

【要約】【課題】 単一素子で正負いずれの極性も発光する発光素子を提供する。【解決手段】 発光層の一方をバンド間トンネルキャリア注入、もう一方をpn接合少数キャリア注入とし、正極、負極のいずれも同様に動作させる。

Claim (excerpt)：

npn接合(又はpnp接合)中に少なくとも一層の半導体発光層を含み、前記npn接合の各n型半導体(又は前記pnp接合の各p型半導体)に電極を有するダイオード素子であり、前記npn接合(または前記pnp接合)の各pn接合が逆バイアス時にバンド間トンネル電流を生じる如く不純物濃度を設定し、前記ダイオード素子への印加電圧極性が正負いずれの場合も通電発光が可能となる事を特徴とする双方向半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/183

FI (3)：

H01L 33/00 F ,  H01L 33/00 M ,  H01S 5/183

F-Term (11)：

5F041AA12 ,  5F041AA31 ,  5F041CA04 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA39 ,  5F041CA48 ,  5F073AA64 ,  5F073AB17 ,  5F073CA12 ,  5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開昭61-131479