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J-GLOBAL ID:200903012589526175

半導体装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 曽々木 太郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991306826
Publication number (International publication number):1993121601
Application date: Oct. 25, 1991
Publication date: May. 18, 1993
Summary:
【要約】【目的】 熱拡散効率の改善された半導体素子及びそれを用いた半導体装置を提供する。【構成】 本発明の半導体素子Sは基板と反対側の面に熱拡散部材1が形成されている。また、本発明の半導体装置はかかる半導体素子Sの熱拡散部材1と接続部材7を介して接続されている第2ヒ-トシンクH2を有するものである。
Claim (excerpt):
基板と反対側の面にも熱拡散部が形成されてなることを特徴とする半導体素子。
IPC (2):
H01L 23/34 ,  H01L 23/36
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
  • 特公昭47-006130
  • 特開昭54-048173
  • 特開昭62-144346
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