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J-GLOBAL ID：200903012606356610

固体撮像素子の製造方法

Inventor： 田中 浩司 ,  草柳 雄次 ,  栗山 俊寛 ,  田中 晶二
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998316662
Publication number (International publication number)：1999233750
Application date： Nov. 06, 1998
Publication date： Aug. 27, 1999
Summary：

【要約】【課題】 反射防止膜の反射防止効果を向上させた固体撮像素子の製造方法を提供する。【解決手段】 フォトセンサー部11上方のシリコン酸化膜13aをエッチングすることにより、ゲート電極14を酸化してシリコン酸化膜13cを形成する際に膜厚が増加したシリコン酸化膜の膜厚を減少させて10〜40nm程度とする。その上に反射防止膜としてシリコン窒化膜15を30〜80nm程度の膜厚となるように成膜する。さらにその上に、層間絶縁膜17、金属遮光膜18およびパッシベーション膜19等を適宜成膜して、固体撮像素子を製造する。

Claim (excerpt)：

フォトセンサー部を有するシリコン基板上にシリコン酸化膜を形成する工程と、前記シリコン基板上に少なくとも前記シリコン酸化膜を介して多結晶シリコンからなるゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極を酸化雰囲気に曝すことにより前記ゲート電極上にシリコン酸化膜を形成する工程と、前記シリコン酸化膜上であって前記フォトセンサー部への入射光が透過する受光領域内に反射防止膜を形成する工程とを含み、前記ゲート電極を酸化雰囲気に曝す工程の後であって前記反射防止膜を形成する工程の前に、前記受光領域内のシリコン酸化膜の膜厚をエッチングにより減ずる工程を実施することを特徴とする固体撮像素子の製造方法。

IPC (3)：

H01L 27/148 ,  H01L 27/14 ,  H04N 5/335

FI (3)：

H01L 27/14 B ,  H04N 5/335 F ,  H01L 27/14 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 固体撮像素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-254979   Applicant：松下電子工業株式会社
• 固体撮像素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-287679   Applicant：日本電気株式会社
• 特開平4-152674
  
• 特開昭63-014466