III族窒化物半導体基板とその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高山敏夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995293528
Publication number (International publication number)：1997115832
Application date： Oct. 16, 1995
Publication date： May. 02, 1997
Summary：

【要約】【目的】転位が少なく良好な厚い素子層を持つ構造を可能とするため、熱膨張係数がIII族窒化物結晶に近く、かつ結晶性の良い表面を持つIII族窒化物基板、およびその作製方法を提供すること。【構成】多結晶III族窒化物層とその上に形成された単結晶III族窒化物層とからなることを特徴とするIII族窒化物半導体基板及び酸又はアルカリ溶液で溶解可能な単結晶基板上に単結晶III族窒化物を成長する工程と、引き続いて多結晶III族窒化物を成長する工程と、酸又はアルカリ溶液で溶解可能な単結晶基板を酸又はアルカリ溶液でIII族窒化物と選択的に除去する工程と、該窒化物基板の単結晶表面上に単結晶III族窒化物層を成長する工程を含むIII族窒化物半導体基板の製造方法。

Claim (excerpt)：

多結晶III族窒化物層とその上に形成された単結晶III族窒化物層とからなることを特徴とするIII族窒化物半導体基板。

IPC (4)：

H01L 21/20 , H01L 21/203 , H01L 29/205 , H01L 33/00

FI (4)：

H01L 21/20 , H01L 21/203 Z , H01L 33/00 C , H01L 29/205

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

特開平4-297023
GaN単結晶およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-242967 Applicant：三菱電線工業株式会社

Cited by examiner (1)

特開平4-297023

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