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J-GLOBAL ID:200903012632333815
プラズマ処理装置
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
宮田 金雄 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996166107
Publication number (International publication number):1998005579
Application date: Jun. 26, 1996
Publication date: Jan. 13, 1998
Summary:
【要約】【課題】 プラズマの密度に分布がある場合でも、大口径の試料を均一に処理することができるプラズマ処理装置を得る。【解決手段】 プラズマ室2と、処理室1と、複数の孔を有する隔壁板3と、処理室を排気する真空排気手段5と、プラズマ室へパルス的にガスを供給するガス供給手段8とを備え、隔壁板3に設けた孔4がほぼ同じ面積で、プラズマ室に生成したプラズマの高密度雰囲気に面した隔壁板3の領域の単位面積あたりの孔数をプラズマの低密度雰囲気に面した隔壁板3の領域の単位面積あたりの孔数より少なく配置している。
Claim (excerpt):
ガスを用いて励起源によりプラズマが生成されるプラズマ室と、試料が配置される処理室と、上記プラズマ室と上記処理室との間に設けられ上記プラズマ室から処理室に連通する複数の孔を有する隔壁板と、上記処理室を排気する真空排気手段と、上記プラズマ室へパルス的に上記ガスを供給するガス供給手段とを備えたプラズマ処理装置において、上記隔壁板に設けた各孔がほぼ同じ面積であり、上記隔壁板のプラズマ高密度雰囲気に面した領域では単位面積あたりの孔数を少なく配置し、上記隔壁板のプラズマ低密度雰囲気に面した領域では単位面積あたりの孔数を多く配置したことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (6):
B01J 19/08
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
, H05H 1/46
FI (6):
B01J 19/08 E
, C23C 16/50
, C23F 4/00 A
, H01L 21/205
, H05H 1/46 B
, H01L 21/302 B
Patent cited by the Patent:
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