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J-GLOBAL ID：200903012638281191

ダイヤモンドの選択形成法

Inventor： 勝又 聡
Applicant, Patent owner： 出光石油化学株式会社
Agent (1)： 福村 直樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992262231
Publication number (International publication number)：1994116089
Application date： Sep. 30, 1992
Publication date： Apr. 26, 1994
Summary：

【要約】【目的】 この発明は、高性能な半導体デバイス、ヒートシンク、電子材料等に好適に用いることのできるダイヤモンドを、所望の大きさ及び形状に、寸法精度よく高い選択性をもって形成することのできる、ダイヤモンドの選択形成法を提供することを目的とする。【構成】 前記目的を達成するための前記請求項1に記載の発明は、シリコン基板の表面に、マスクパターンを形成し、非マスク部を陽極化成法によりポーラス化した後に熱酸化することによりSiO2 化し、その後電界処理又は傷付け処理を行ない、次いで気相法によるダイヤモンド合成を行なうことを特徴とするダイヤモンドの選択形成法である。

Claim (excerpt)：

シリコン基板の表面に、マスクパターンを形成し、非マスク部を陽極化成法によりポーラス化した後に熱酸化することによりSiO2 化し、その後電界処理又は傷付け処理を行ない、次いで気相法によるダイヤモンド合成を行なうことを特徴とするダイヤモンドの選択形成法。

IPC (3)：

C30B 29/04 ,  C30B 25/02 ,  C30B 25/04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平2-030697
  
• 特開昭51-002391
  
• 特開平3-070156
  
• 特開平4-010419