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J-GLOBAL ID：200903012645237939

プラズマ処理装置

Inventor： 田中 勉
Applicant, Patent owner： 国際電気株式会社
Agent (1)： 油井 透 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999070333
Publication number (International publication number)：2000269141
Application date： Mar. 16, 1999
Publication date： Sep. 29, 2000
Summary：

【要約】【課題】 反応室内部の上部構造を単純化しながら成膜均一性の向上を図る。【解決手段】 反応室1内に水平に配置したウェーハWの周辺からウェーハの中心に向けて処理ガスを供給するガスリングを備えたプラズマCVD装置であり、同一の処理ガスを反応室1内に供給する2つのガスリング25、45を同軸に配置し、一方を主ガスリング25とし、他方を主ガスリング25による成膜不均一を補正する補完用ガスリング45とする。円周方向に見た場合、主ガスリング25のノズル25aの中間に補完用ガスリング45のノズル45aが位置するように、各ガスリング25、45のノズル25a、45aの位置を設定する。

Claim (excerpt)：

反応室内に水平に配置した被処理基板の周辺から前記被処理基板の中心に向けて処理ガスを供給するガスリングを備えたプラズマ処理装置において、同一の処理ガスを反応室内に供給する2つのガスリングを同軸に配置し、一方を主ガスリングとし、他方を主ガスリングによる成膜不均一を補正する補完用ガスリングとし、前記主ガスリングのガス噴出孔と補完用ガスリングのガス噴出孔の位置をずらしたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  B01J 19/08 ,  C23C 16/44

FI (3)：

H01L 21/205 ,  B01J 19/08 H ,  C23C 16/44 D

F-Term (30)：

4G075AA24 ,  4G075BC04 ,  4G075BD01 ,  4G075BD14 ,  4G075CA25 ,  4G075CA47 ,  4G075DA02 ,  4G075EB01 ,  4G075EC01 ,  4G075FB01 ,  4G075FC13 ,  4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030CA12 ,  4K030EA05 ,  4K030EA06 ,  4K030FA01 ,  4K030FA04 ,  4K030KA20 ,  5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045AC01 ,  5F045AC11 ,  5F045BB02 ,  5F045BB15 ,  5F045EE04 ,  5F045EE12 ,  5F045EF04 ,  5F045EF08 ,  5F045EH11