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J-GLOBAL ID：200903012665204930

半導体発光装置及びその製造方法

Inventor： 大坪 孝二
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991346606
Publication number (International publication number)：1993183229
Application date： Dec. 27, 1991
Publication date： Jul. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体発光装置及びその製造方法に関し、ダブル・インジェクションに依る電流のリークを抑止して高い光出力を得ようとする。【構成】 一導電型InP基板1上にストライプのメサ状をなす反対導電型InGaAsP活性層3を積層形成し、その上にストライプのメサ状をなす反対導電型InPクラッド層5と反対導電型InPコンタクト層6を積層形成し、その反対導電型InPクラッド層5と反対導電型InPコンタクト層6の側面を覆う一導電型InP分離層を形成し、メサ全体を埋め込むFe(又はTi)ドープInP高抵抗埋め込み層7を形成してある。

Claim (excerpt)：

一導電型化合物半導体基板上に積層形成され且つストライプのメサ状になっている反対導電型化合物半導体活性層と、該反対導電型化合物半導体活性層上に順次積層形成され且つストライプのメサ状になっている反対導電型化合物半導体クラッド層及び反対導電型化合物半導体コンタクト層と、該メサ状の反対導電型化合物半導体クラッド層及び反対導電型化合物半導体コンタクト層の側面を覆う一導電型化合物半導体分離層と、該一導電型化合物半導体分離層を含めてメサ全体を埋め込む化合物半導体高抵抗埋め込み層とを備えてなることを特徴とする半導体発光装置。