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J-GLOBAL ID:200903012676373725

プラズマ処理装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 井上 俊夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992350844
Publication number (International publication number):1994177081
Application date: Dec. 04, 1992
Publication date: Jun. 24, 1994
Summary:
【要約】【目的】 被処理体をプラズマの発生の有無に拘らず吸着保持して均一に処理すること。【構成】 同心円上に配置された第1の電極6と第2の電極7を2枚の高分子フィルム5A、5Bの間に挟んで静電チャックシート5を構成し、サセプタ4の上に冠着する。第1の電極6を直流電源63の正極側に接続すると共に、第2の電極7をスイッチ部8を介して直流電源73の負極側及び直流電源63の正極側に接続する。そしてプラズマが発生していないときには電極7を直流電源73の負極側に、プラズマが発生しているときには電極7を直流電源63の正極側に切り換えるようにスイッチ部8を構成する。これによりプラズマが発生していないときも被処理体が吸着され、プラズマが発生しているときには電極6、7が同電位にあるのでエッチングが均一になされる。
Claim (excerpt):
反応容器内のサセプタの表面に設けた静電チャック用の電極に電圧を印加して被処理体を静電気力でサセプタの載置面に吸着保持し、プラズマにより被処理体を処理するプラズマ処理装置において、前記静電チャック用の電極を第1の電極と第2の電極とに分割すると共に、これらの電極の電位を切り換えるスイッチ部を設け、前記スイッチ部は、プラズマ発生中には前記第1の電極及び第2の電極が被処理体の電位とは異なる同一の電位となるように切り換えられ、プラズマが発生していないときには前記第1の電極及び第2の電極が互に異なる電位となるように切り換えられることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (2):
H01L 21/302 ,  H01L 21/68
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
  • 特開平4-186863
  • 静電吸着方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-091347   Applicant:富士通株式会社

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