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J-GLOBAL ID：200903012677145602

ドライエッチング方法

Inventor： 川上 博士 ,  榎並 弘充
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992208789
Publication number (International publication number)：1994061190
Application date： Aug. 05, 1992
Publication date： Mar. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】単結晶シリコンへのトレンチエッチングにおいてエッチングマスクとなる酸化膜との選択比を高い状態に維持したまま、Y型トレンチエッチング形状ができるドライエッチング方法を提供する。【構成】マイクロ波プラズマエッチング装置を使ったHBrガスと酸素ガスを混合した反応ガスにおいて、反応ガスの総流量に対して1%から5%の範囲で酸素ガスを混合し、Y型トレンチエッチング形状を作る。【効果】トレンチ開口部をテーパ形状にできるため、トレンチ内へカバレッジ良く堆積膜の形成を行なうことができる。

Claim (excerpt)：

HBrガスと酸素ガスを混合した反応ガスを用いることにより、単結晶シリコンにY型溝あるいはY型穴を形成することを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (3)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00 ,  H01L 27/04