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J-GLOBAL ID:200903012683336290
光リソグラフィ装置及び方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
三好 秀和 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999152921
Publication number (International publication number):2000040660
Application date: May. 31, 1999
Publication date: Feb. 08, 2000
Summary:
【要約】【課題】 フォトマスクを使用せずに光パターンを与える光リソグラフィーシステムを提供する。【解決手段】 直接書込システムが、コンピュータ制御の空間光変調器を使用して、予め設定した光パターンを基材(例えばウエハ)表面に供給する。画像パターンはコンピュータに格納され、空間光変調器の画素の電子制御を介して直接ウエハを照射し、ポリマーアレイの一部を定める。例えば微小鏡アレイを空間光変調器として使用した直接書き込みシステムでは、微小鏡アレイの各画素の角度を適切な強度の光線を反射したり反射しないようにするためにコンピュータ制御することによって、各光リソグラフィーステップにおいて基材上の個々のフィーチャーの結像(焼付)がフォトマスクを使用せずに行われる。空間光変調器を含む直接書込システムは、ポリマーアレイ合成(例えばDNAアレイ合成)におけるフィーチャー脱保護に特に有用である。
Claim (excerpt):
保護された反応部位を有する基材を用意するステップと、前記保護された反応部位のうち選択された部分を脱保護するよう使用する、予め設定された光パターンを発生させるべく、空間光変調器を用いて光の方向を変調するステップとから成る、基材上の反応部位を脱保護する方法。
IPC (2):
H01L 21/027
, G03F 7/20 521
FI (2):
H01L 21/30 515 D
, G03F 7/20 521
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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画像形成装置及び光学変調器の露光条件設定方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-344226
Applicant:シャープ株式会社
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パターニング装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-211733
Applicant:テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
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画像形成装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-341889
Applicant:シャープ株式会社
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レジスト露光方法及びその露光装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-286141
Applicant:株式会社エムエステック
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特開平3-201423
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特開平2-001108
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