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J-GLOBAL ID：200903012684880296

金単結晶薄膜、その製造方法及び用途

Inventor： 江柄 光一 ,  池田 勉 ,  赤池 正剛 ,  丸山 朋子 ,  林田 雅美 ,  福田 恵明
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992291185
Publication number (International publication number)：1994136551
Application date： Oct. 29, 1992
Publication date： May. 17, 1994
Summary：

【要約】【構成】 金錯体溶液中の金錯体を分解処理することで溶液中の金を過飽和状態に移行させ、該溶液に基板1を接触させ基板1表面に金の核形成を行い、これを基として基板表面に金単結晶又は金単結晶群からなる金薄膜を自己整合的に成長させ、金単結晶薄膜3を得る。【効果】 該薄膜は耐メカニカルマイグレーション性、耐酸化劣化性に優れた弾性表面波素子の櫛型電極、曲率半径が小さく、高い波長分解能、集光性能に優れたX線分光用湾曲結晶、液晶パネルの共通電極の応力緩和、金薄膜の超平面を利用した凝着作用による接着素子などに用いることが出来る。

Claim (excerpt)：

金錯体溶液中の金錯体を分解処理することで溶液中の金を過飽和状態に移行させ、基板表面に金単結晶又は金単結晶群からなる金薄膜を成長させることによって得られる金単結晶薄膜。

IPC (5)：

C23C 18/42 ,  G02F 1/1343 ,  G21K 1/06 ,  H03H 9/08 ,  H03H 9/145