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J-GLOBAL ID：200903012694432402

コンタクトホールの形成方法

Inventor： 大草 善裕 ,  山本 淳
Applicant, Patent owner： 旭化成マイクロシステム株式会社
Agent (1)： 谷 義一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994299922
Publication number (International publication number)：1996162388
Application date： Dec. 02, 1994
Publication date： Jun. 21, 1996
Summary：

【要約】【目的】 絶縁膜とフォトレジスト膜との界面の密着性を向上させることによりサイドエッチングを防止する。【構成】 半導体デバイス上に形成された絶縁膜12にフォトリソグラフィおよびエッチングによりコンタクトホールを形成する方法において、前記絶縁膜12上にフォトレジスト膜13を形成する前に当該絶縁膜12の表面をプラズマ処理する。

Claim (excerpt)：

半導体デバイス上に形成された絶縁膜にフォトリソグラフィおよびエッチングによりコンタクトホールを形成する方法において、前記絶縁膜上にフォトレジスト膜を形成する前に当該絶縁膜の表面をプラズマ処理することを特徴とするコンタクトホールの形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/027 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/31