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J-GLOBAL ID：200903012696332480

薄膜形成方法及び形成装置

Inventor： 溝上 員章 ,  三井 泰裕 ,  金井 昭司
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立東京エレクトロニクス株式会社
Agent (1)： 秋田 収喜
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994296658
Publication number (International publication number)：1996153669
Application date： Nov. 30, 1994
Publication date： Jun. 11, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【構成】ホトレジスト11等の薄膜形成成分の溶液を供給するノズル15とウェハ等の対象物12との間に高電圧を加えることによって薄膜材料を帯電した微小液滴に霧化し、該高電圧によって発生した電場によってウェハ等の対象物の表面に付着させる。上述した手段によれば、導電性の液体と対象物の間に電場を印加することにより、液体が帯電した微細な液滴として噴霧され、対象物に付着する。【効果】より均一でより膜厚の薄い薄膜を形成することができ、任意の形状に薄膜を形成し、より大面積の薄膜形成ができる。

Claim (excerpt)：

対象物の表面に薄膜を形成する薄膜形成方法であって、薄膜形成成分の溶液を供給するノズルと対向電極との間に電圧を印加し、前記溶液を帯電した微小液滴に霧化し、霧化した帯電液滴を前記電圧による電界の力によって対象物の表面に付着させることにより形成成分の薄膜を形成する薄膜形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/027 ,  B05B 5/08 ,  B05D 1/04 ,  G03F 7/16 501