高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (3)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002233045
Publication number (International publication number)：2004067972
Application date： Aug. 09, 2002
Publication date： Mar. 04, 2004
Summary：

【解決手段】式(1)で表される繰り返し単位を含む重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。【化1】(R1〜R3はH、F、アルキル基又はフッ素化されたアルキル基。R4は単結合、アルキレン基又はフッ素化されたアルキレン基。R5は単結合、酸素原子、アルキレン基又はフッ素化されたアルキレン基。R6はメチレン基、酸素原子、又は硫黄原子。R7〜R10は、H、F、フッ素化されたアルキル基、-R11-OR12、-R11-CO2R12、又は-OR12。R11は単結合、アルキレン基又はフッ素化されたアルキレン基。R12はH又は酸不安定基。aは0又は1。)【効果】本発明のレジスト材料は、レジストの透明性、密着性、現像液浸透性が向上し、それと同時に優れたプラズマエッチング耐性を有するレジスト材料となり得るもので、パターンを容易に形成でき、このため超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適である。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で表される繰り返し単位を含むことを特徴とする重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。

IPC (6)：

C08F28/02 , C08F212/14 , C08F220/22 , C08F232/00 , G03F7/039 , H01L21/027

FI (6)：

C08F28/02 , C08F212/14 , C08F220/22 , C08F232/00 , G03F7/039 601 , H01L21/30 502R

F-Term (40)：

2H025AA04 , 2H025AA09 , 2H025AA14 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC05 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BG00 , 2H025CC20 , 2H025FA03 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 4J100AB07S , 4J100AL08T , 4J100AP01P , 4J100AP01Q , 4J100AR11R , 4J100AR21R , 4J100BA04Q , 4J100BA07S , 4J100BA08S , 4J100BA55P , 4J100BB07P , 4J100BB07Q , 4J100BB07S , 4J100BB07T , 4J100BB10R , 4J100BB17P , 4J100BB17Q , 4J100BB17R , 4J100BB17T , 4J100BC04P , 4J100BC04Q , 4J100BC43P , 4J100BC43Q , 4J100BC55Q , 4J100CA03 , 4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

ポジ型レジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-223234 Applicant：富士写真フイルム株式会社
ポジ型レジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-223386 Applicant：富士写真フイルム株式会社
新規なエステル化合物、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-075440 Applicant：信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社

Return to Previous Page