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J-GLOBAL ID：200903012712008788

アルミナ結晶質薄膜の低温製法

Inventor：
金 平

About 金 平


Applicant, Patent owner：
経済産業省産業技術総合研究所長

About 経済産業省産業技術総合研究所長


Agent (1)： 須藤 政彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000163218
Publication number (International publication number)：2001342556
Application date： May. 31, 2000
Publication date： Dec. 14, 2001
Summary：
【要約】【課題】 アルミナ結晶質薄膜の低温製法を提供する。【解決手段】 スパッタ法により酸化クロム結晶質薄膜をあらかじめ基板や母材に形成し、その上にアルミナ薄膜を形成するアルミナ結晶質薄膜の低温製法であって、特にアルミナ結晶相の中で、最も安定で、且つ特性の最も優れたα相アルミナ薄膜の低温製法である。【効果】 従来法よりはるかに低温でアルミナ結晶質薄膜、特にそのα相アルミナ薄膜が形成できる。形成温度の低温下により、選択できる基板や母材の種類は大きく広がり、機械産業、半導体産業などにおける耐摩耗、保護を目的とするアルミナハードコーティング、又は安価で、且つ高質のアルミナ基板を提供するなど、産業界への応用が大きく期待できる。
Claim (excerpt)：
アルミナ結晶質薄膜の低温製法であって、スパッタ法によりあらかじめ酸化クロム下地薄膜を多結晶あるいは単結晶基板や母材に室温から800°Cの範囲で形成し、その上にスパッタ法によりアルミナ(Al2 O3 )結晶質薄膜を当該温度範囲で形成することを特徴とするアルミナ結晶質薄膜の低温製法。
IPC (5)：
C23C 14/08 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/316 ,  C04B 41/87 ,  C04B 41/89
FI (6)：
C23C 14/08 A ,  C23C 14/34 N ,  H01L 21/316 Y ,  H01L 21/316 M ,  C04B 41/87 F ,  C04B 41/89 Z
F-Term (17)：
4K029AA06 ,  4K029AA08 ,  4K029AA09 ,  4K029BA43 ,  4K029BA44 ,  4K029BB02 ,  4K029BC02 ,  4K029BD03 ,  4K029CA05 ,  4K029CA06 ,  4K029FA01 ,  5F058BA20 ,  5F058BD01 ,  5F058BD05 ,  5F058BF12 ,  5F058BF14 ,  5F058BJ03
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (1)

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