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J-GLOBAL ID:200903012722068606
p型SiC用電極
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
小西 富雅 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001270771
Publication number (International publication number):2003077860
Application date: Sep. 06, 2001
Publication date: Mar. 14, 2003
Summary:
【要約】【課題】 表面モホロジーが良好で、電極の形成に伴う半導体結晶層への損傷が少ないp型SiC用電極を提供する。【解決手段】 ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、パラジウム(Pd)、及びプラチナ(Pt)の中から選択される少なくとも一種からなる第1の電極材料を含有させてp型電極を構成する。
Claim (excerpt):
ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、パラジウム(Pd)、及びプラチナ(Pt)の中から選択される少なくとも一種からなる第1の電極材料を含んでなる、p型SiC用電極。
IPC (2):
H01L 21/28 301
, C23C 14/14
FI (2):
H01L 21/28 301 F
, C23C 14/14 G
F-Term (33):
4K029AA04
, 4K029BA02
, 4K029BA06
, 4K029BA12
, 4K029BA13
, 4K029BA23
, 4K029BB02
, 4K029BC03
, 4K029BD02
, 4K029GA01
, 4M104AA03
, 4M104BB02
, 4M104BB04
, 4M104BB05
, 4M104BB06
, 4M104BB07
, 4M104BB13
, 4M104BB14
, 4M104CC01
, 4M104DD09
, 4M104DD16
, 4M104DD22
, 4M104DD34
, 4M104DD35
, 4M104DD37
, 4M104DD68
, 4M104DD78
, 4M104DD83
, 4M104FF22
, 4M104GG18
, 4M104GG20
, 4M104HH12
, 4M104HH15
Patent cited by the Patent: